IPB083N10N3 G
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IPB083N10N3 G参数：MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.3 毫欧 @ 73A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3980pF @ 50V
功率 - 最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-2